| 涨停日期 | 涨停概念 | 涨停原因 |
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| 2026-07-21 | SiC中报预增IDM | 行业原因:
1、半导体板块大幅反弹,板块内超80只个股涨停及涨超10%,此前7个交易日板块累计下跌逾32%,科创50指数午后大涨逾10%。 2、亚洲股市今日普遍反弹,韩国综合指数、日经225指数涨超3%。 公司原因:1、据2026年6月12日互动易,士兰明镓6英寸SiC产线月产能达1万片,士兰集宏8英寸SiC产线月产能达5000片;基于Ⅱ代SiC MOSFET芯片的电动汽车主驱模块出货累计超20万颗,第Ⅳ代SiC芯片与模块已开始批量交付。 2、据2026年7月15日公告,公司预计2026年上半年归母净利润约5.19亿元,同比增长约96.05%。 3、据2026年4月25日年报,公司坚持IDM模式,产品覆盖功率器件、模拟电路、MEMS传感器等,Ⅱ代SiC-MOSFET已应用于AI算力中心电源并大批量出货。 |
| 2026-06-15 | SiC功率器件芯片半导体IDM人形机器人 | 行业原因:
1、据科创板日报6月15日报道,韩国政府正式启动“超级创新经济项目”,计划投入5000亿韩元集中攻关碳化硅、氮化镓等下一代功率半导体技术,目标2030年实现产能自给率翻倍。 2、据招商证券6月1日研报,AI服务器功耗持续提升,带动以碳化硅为代表的第三代半导体功率器件在AI电源管理领域的需求激增。 公司原因:1、据2026年6月12日互动易,士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线已形成月产10,000片MOSFET的产能;士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线已形成月产5,000片的产能。基于公司自主研发的Ⅱ代SiC MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块出货量累计超过20万颗,第Ⅳ代SiC芯片与模块完成客户评测并开始批量交付。 2、据2026年6月12日互动易,公司8吋、12吋硅基芯片生产线均处于满载运行;厦门第二条12吋线已于2025年12月开工建设。公司将加大对汽车、新能源、工业、通讯和算力等高门槛市场的开拓力度。 3、据2025年年报,公司发展目标将重点瞄准当前汽车、新能源、算力和通讯、人形机器人等产业快速发展的契机,利用多条不同尺寸硅芯片产线和化合物产线的特点拓展工艺技术与产品平台。 |
| 2024-10-22 | 芯片第三代半导体汽车芯片 | 1、公司已研发了多品类的模拟电路、变频控制系统和芯片、MEMS传感器产品、以IGBT、超结MOSFET和高密度沟槽栅MOSFET为代表的功率半导体产品、以SiC为代表的第三代半导体产品、智能功率模块产品(IPM)、车规级和工业级功率模块产品(PIM)、高压集成电路等产品。 2、1月8日互动:截至2023年三季度末,公司子公司士兰明镓6吋SiC功率器件芯片生产线的产能约为3000片/月。公司基于SiC功率器件芯片的主驱模块已实现向客户的小批量出货。 3、6月14日互动:基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块,已在比亚迪、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货;公司用于汽车的IGBT器件(单管)、MOSFET器件(单管)已实现大批量出货。 |
| 2024-10-09 | 芯片第三代半导体汽车芯片 | 1、公司已研发了多品类的模拟电路、变频控制系统和芯片、MEMS传感器产品、以IGBT、超结MOSFET和高密度沟槽栅MOSFET为代表的功率半导体产品、以SiC为代表的第三代半导体产品、智能功率模块产品(IPM)、车规级和工业级功率模块产品(PIM)、高压集成电路等产品。 2、1月8日互动:截至2023年三季度末,公司子公司士兰明镓6吋SiC功率器件芯片生产线的产能约为3000片/月。公司基于SiC功率器件芯片的主驱模块已实现向客户的小批量出货。 3、6月14日互动:基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块,已在比亚迪、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货;公司用于汽车的IGBT器件(单管)、MOSFET器件(单管)已实现大批量出货。 |
| 2024-10-08 | 芯片第三代半导体汽车芯片 | 行业原因:
国庆假期期间,港股市场半导体股大涨,中芯国际累计上涨近60%,华虹半导体累计上涨近56%。 公司原因:1、公司已研发了多品类的模拟电路、变频控制系统和芯片、MEMS传感器产品、以IGBT、超结MOSFET和高密度沟槽栅MOSFET为代表的功率半导体产品、以SiC为代表的第三代半导体产品、智能功率模块产品(IPM)、车规级和工业级功率模块产品(PIM)、高压集成电路等产品。 2、1月8日互动:截至2023年三季度末,公司子公司士兰明镓6吋SiC功率器件芯片生产线的产能约为3000片/月。公司基于SiC功率器件芯片的主驱模块已实现向客户的小批量出货。 3、6月14日互动:基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块,已在比亚迪、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货;公司用于汽车的IGBT器件(单管)、MOSFET器件(单管)已实现大批量出货。 |
| 2024-09-30 | 芯片第三代半导体汽车芯片 | 1、公司已研发了多品类的模拟电路、变频控制系统和芯片、MEMS传感器产品、以IGBT、超结MOSFET和高密度沟槽栅MOSFET为代表的功率半导体产品、以SiC为代表的第三代半导体产品、智能功率模块产品(IPM)、车规级和工业级功率模块产品(PIM)、高压集成电路等产品。 2、1月8日互动:截至2023年三季度末,公司子公司士兰明镓6吋SiC功率器件芯片生产线的产能约为3000片/月。公司基于SiC功率器件芯片的主驱模块已实现向客户的小批量出货。 3、6月14日互动:基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块,已在比亚迪、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货;公司用于汽车的IGBT器件(单管)、MOSFET器件(单管)已实现大批量出货。 |
| 2024-07-19 | 芯片第三代半导体汽车芯片 | 行业原因:
据新华社,党的二十届三中全会提出,高质量发展是全面建设社会主义现代化国家的首要任务。必须以新发展理念引领改革,立足新发展阶段,深化供给侧结构性改革,完善推动高质量发展激励约束机制,塑造发展新动能新优势。要健全因地制宜发展新质生产力体制机制,健全促进实体经济和数字经济深度融合制度,完善发展服务业体制机制,健全现代化基础设施建设体制机制,健全提升产业链供应链韧性和安全水平制度。 公司原因:1、公司已研发了多品类的模拟电路、变频控制系统和芯片、MEMS传感器产品、以IGBT、超结MOSFET和高密度沟槽栅MOSFET为代表的功率半导体产品、以SiC为代表的第三代半导体产品、智能功率模块产品(IPM)、车规级和工业级功率模块产品(PIM)、高压集成电路等产品。 2、1月8日互动:截至2023年三季度末,公司子公司士兰明镓6吋SiC功率器件芯片生产线的产能约为3000片/月。公司基于SiC功率器件芯片的主驱模块已实现向客户的小批量出货。 3、6月14日互动:基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块,已在比亚迪、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货;公司用于汽车的IGBT器件(单管)、MOSFET器件(单管)已实现大批量出货。 |
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